收藏本站
Si7872DP
Vishay Siliconix
MOSFET CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1 . Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
1 0
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 72035
S-82116-Rev. C, 08-Sep-08
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7898DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
SI7904BDN-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
SI7905DN-T1-E3 MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8
SI7913DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7922DN-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8
SI7923DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7940DP-T1-E3 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC
SI7945DP-T1-GE3 MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI7880ADP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7880ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7880ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7880DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7882DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI7882DP-T1 功能描述:MOSFET 12V 22A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7882DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7882DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET